據國外媒體報道，存儲芯片制造商美光科技當地時(shí)間周二宣布，他們將投資 400 億美元，在美國建設先進(jìn)的存儲芯片制造設施。

　　美光科技已在官網(wǎng)宣布了 400 億美元的投資計劃，這一投資持續到 2030 年，將分階段在美國建設先進(jìn)的存儲芯片制造設施。

　　外媒在報道中表示，美光科技周二宣布的 400 億美元投資計劃，是他們去年宣布的 1500 億美元全球投資方案的一部分。400 億美元的投資，也是到目前為止美國最大的存儲芯片制造投資。

　　同其他芯片廠(chǎng)商的投資一樣，美光這一 400 億美元的龐大投資，也將會(huì )創(chuàng )造大量的就業(yè)崗位。美光科技在官網(wǎng)上就表示，最多會(huì )創(chuàng )造 40000 個(gè)就業(yè)崗位，包括美光近 5000 個(gè)高技術(shù)及運營(yíng)崗位。

　　從外媒的報道來(lái)看，在營(yíng)收前景不明朗，經(jīng)濟前景不確定性增加的情況下，美光科技還宣布大規模的投資計劃，與不斷增加的數據存儲需求有關(guān)。

　　研究機構曾預計，2025 年全球產(chǎn)生的數據將達到 175ZB(ZB：十萬(wàn)億億字節，1ZB=1024EB)。美光此前也曾在一份報告中表示，數據存儲需求的增加，已推動(dòng)存儲芯片在半導體營(yíng)收中的比重，由 2020 年的 10%，增長(cháng)到目前的約 30%。
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